Силицијумске подлоге за епитаксију

Силицијумске подлоге за епитаксију

Ови силицијумски епитаксијски супстрати су педантнидизајниран за раст епитаксијалног слоја, који служи као кристални шаблон високе{0}}чистоће за напредну интеграцију Повер анд Логиц уређаја. Дизајниране коришћењем прецизног повлачења Чохралског (ЦЗ) и ултра-полирања, наше подлоге обезбеђују бескомпромисно површинско окружење. Ова глаткоћа на атомском-нивоу је основни предуслов за постизање високог{5}}квалитетне хомоепитаксијалне и хетероепитаксијалне депозиције у следећој генерацији полупроводника.

Оптимизована површина за високо{0}}квалитетно таложење:Тхеконтролисане површине и оријентације кристаласу оптимизовани да обезбеде идеално окружење за нуклеацију. Строго водећи сеОфф-угао пресека(погрешну оријентацију) са прецизношћу од мили степена, олакшавамо корак{0}}механизам раста тока. Ово минимизира неусклађеност решетке и спречава стварање грешака у слагању и дислокација навоја, што је неопходно за стабилизацију електричних карактеристика следећег епи-слоја.

Контролисана отпорност за изолацију уређаја:Посебно дизајниране за Повер ИЦ и аналогне апликације, ове подлоге нудестабилна својства материјаласа веома уједначеним профилом допанта. Ово омогућава прецизну контролу над интерфејсом супстрат-на-епи, побољшавајући изолацију уређаја и смањујући паразитски капацитет у високо-фреквентним и-напонским окружењима.

Висока{0}}термичка отпорност:Свака подлога је регулисана ригидним толеранцијама за интерстицијски кисеоник и металне нечистоће како би се спречило ауто{0}}допирање и термички изазвано савијање. Његова супериорна механичка чврстоћаподржава више корака обраде са минималним варијацијама, одржавајући геометријску верност током циклуса високо-ЦВД (хемијско таложење паре) и брзе термичке обраде (РТП).

Popularne oznake: силицијумске епитаксијске подлоге, Кина произвођачи, добављачи, фабрика силицијумских епитаксијских супстрата