Процесна база силикона
Ова база процеса силикона је пажљиво дизајнирана да функционише као астабилна производна платформаза напредну интеграцију електронских уређаја. Подржава читав спектар од2 инча (50 мм) до 12 инча (300 мм), ове базе су дизајниране да обезбеде интерфејс високе{0}}верности који може да издржи најинтензивнијетермичке и механичке степеницебез угрожавања структуралног или електричног интегритета.
Бескомпромисни структурални интегритет:База је пројектована даодржава свој интегритет током израде, отпоран на микро-савијање и клизање решетке чак и током-дифузије на високим температурама и брзе термичке обраде (РТП). Ова структурна отпорност осигурава да више-слојно поравнање остане прецизно, што је кључно за развој логике високе{4} густине иИЦ за напајање (ИГБТ/МОСФЕТ)архитектуре.
Минимизирана варијација процеса:Поуздано понашање материјала је камен темељац{0}}производње високог приноса. Одржавањем високо уједначеног профила радијалне отпорности и минимизирањем међупросторних нечистоћа, наш процес се заснивасмањити неочекиване варијацијеу брзинама нагризања и таложењу танког{0}} филма. Ова конзистентност омогућава предвидљивији прозор процеса у различитим производним серијама.
Компатибилност са сложеним рутама:Скројен засложене руте обраде, база функционише беспрекорно у модерним аутоматизованим ливницама. Његова супериорна морфологија површине и профилисање ивица подржавају-дугорочну стабилност током хемијске-механичке планаризације (ЦМП) и јонске имплантације, обезбеђујући да готове компоненте испуњавају најстроже стандарде поузданости у аутомобилском и индустријском сектору.
